Language
  • English
  • 繁體中文

製程

薄膜製程主要設備
蒸鍍機
蒸鍍機

膜厚均勻性佳 (<3%)
最高加熱溫度〜350℃
溫度均勻性佳

布拉格反射鏡
布拉格反射鏡

反射率可達99%以上
膜層緻密,覆蓋的光譜區域不會偏移
光譜均勻性≦±1%

濺鍍機
濺鍍機

可低溫下進行
膜厚均勻性佳 (<1%)
膜層緻密性與附著性最佳

電漿輔助化學氣相沉積
電漿輔助化學氣相沉積

較低沉積溫度
可調整薄膜內應力
良好的階梯覆蓋能力
可獲得緻密良好的膜質

快速升溫爐
快速升溫爐

升溫速度快 (20℃/秒)
最高加熱溫度〜900℃
溫度均勻性佳 (基板高低溫差<3℃)

薄膜厚度探針量測機
薄膜厚度探針量測機

薄膜厚度探針量測優點
表面粗糙度和輪廓測量
穩定性高容易操作

黃光製程主要設備
光阻塗佈機
光阻塗佈機

可調控變溫烤盤
良好的光阻塗布均勻性(內外〜1%)
自動化同時作業多種光阻塗佈

近接式曝光機
近接式曝光機

線寬解析度〜3μm
高精度的對準系統
產能與機台穩定性高
光罩成本較低

步進式曝光機
步進式曝光機

較高的線寬解析度〜1.5μm
高精度的對準系統
機台穩定性較高

自動顯影機
自動顯影機

可調式變溫烤盤
良好的顯影塗布均勻性(內外〜1%)

蝕刻製程主要設備
感應耦合電漿蝕刻機
感應耦合電漿蝕刻機

物理、化學複合蝕刻
(蝕刻方向控制佳)

自動有機/酸鹼清洗機
自動有機/酸鹼清洗機

全自動作業系統
自動供藥水系統
設備穩定性高

電漿清洗機
電漿清洗機

具有優越晶圓表面清潔能力
離子能量低不損傷晶片